[发明专利]成像器件及电子装置

权利要求书

1.一种成像器件，其包括：

第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；

光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；

第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；

第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和

第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。

2.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第一晶体管是传输晶体管。

3.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第二晶体管是放大晶体管。

4.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第一晶体管的第一栅极设置在所述第一半导体层的所述第二表面上。

5.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第一晶体管的第一栅极的一部分设置在所述第一半导体层中。

6.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第一晶体管的第一栅极的一部分与所述光电转换区域接触。

7.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第二晶体管的第二栅极设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。

8.根据权利要求5所述的成像器件，其中所述第一晶体管包括设置在所述第一半导体层中的第一半导体区域，所述第一半导体区域经由布线电连接到所述第二晶体管的所述第二栅极。

9.根据权利要求1所述的成像器件，其还包括布线层，其中所述第二半导体层设置在所述布线层与所述第一半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的成像器件，其中所述第二半导体层具有p型导电性。

11.根据权利要求1所述的成像器件，其还包括第二半导体区域，所述第二半导体区域具有p型导电性并设置在所述第一半导体层的所述第二表面与所述光电转换区域之间。

12.根据权利要求1所述的成像器件，其还包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述第三半导体区域和所述第四半导体区域具有p型导电性并且在剖面图中设置在所述光电转换区域的两侧。

13.根据权利要求1所述的成像器件，其还包括防反射膜，所述防反射膜设置在所述第一半导体层的所述第一表面的下方。

14.一种电子装置，其包括：

光学系统；

信号处理电路；和

成像器件，所述成像器件包括：

第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧，

光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中，第一晶体管，所述第一晶体管的一部分设置在所述第一半导体层的所述第二表面上，

第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面，和

第二晶体管，所述第二晶体管的一部分设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。