[发明专利]一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201811167005.8 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109243659B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘红梅;尉国栋 | 申请（专利权）人： | 山西大同大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 14117 太原九得专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 高璇 |
| 地址： | 037009 山西省大同*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于碳化硅材料的微型核电池，包括：高掺杂碳化硅单晶衬底，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的正面具有碳化硅一维纳米线阵列，所述碳化硅一维纳米线阵列具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极，所述第一欧姆接触电极上具有放射源层，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的背面具有第二欧姆接触电极；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一维纳米线阵列 欧姆接触电极 碳化硅单晶 高掺杂 核电池 碳化硅 衬底 碳化硅材料 制备 能量转换效率 放射源层 微器件 半导体 背面 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳化硅材料的微型核电池，其特征在于：包括：高掺杂碳化硅单晶衬底（101），所述高掺杂碳化硅单晶衬底（101）的正面具有碳化硅一维纳米线阵列（102），所述碳化硅一维纳米线阵列（102）具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列（102）的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极（103），所述第一欧姆接触电极（103）上具有放射源层（104），所述高掺杂碳化硅单晶衬底（101）的背面具有第二欧姆接触电极（105）；/n所述高掺杂碳化硅单晶衬底（101）为P型高掺杂4H-SiC单晶衬底；/n所述碳化硅一维纳米线阵列（102）由所述P型高掺杂4H-SiC单晶衬底的正面生长而成；/n所述PN结区域由所述碳化硅一维纳米线阵列（102）被进行N型掺杂而成；/n所述第一欧姆接触电极（103）为呈叉指状的多层薄膜结构，且由下至上依次为Ti层、Ni层、Au层；/n所述放射源层（104）的制作材料为同位素放射源；/n所述第二欧姆接触电极（105）为多层薄膜结构，且由上至下依次为Ti层、Al层、Au层；/n或/n所述高掺杂碳化硅单晶衬底（101）为N型高掺杂4H-SiC单晶衬底；/n所述碳化硅一维纳米线阵列（102）由所述N型高掺杂4H-SiC单晶衬底的正面生长而成；/n所述PN结区域由所述碳化硅一维纳米线阵列（102）被进行P型掺杂而成；/n所述第一欧姆接触电极（103）为呈叉指状的多层薄膜结构，且由下至上依次为Ti层、Al层、Au层；/n所述放射源层（104）的制作材料为同位素放射源；/n所述第二欧姆接触电极（105）为多层薄膜结构，且由上至下依次为Ti层、Ni层、Au层。/n
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