[发明专利]测序芯片的制备方法及测序芯片、测序仪有效
| 申请号： | 201811163359.5 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110964793B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈家诚 | 申请（专利权）人： | 深圳华大智造极创科技有限公司 |
| 主分类号： | C12Q1/6869 | 分类号： | C12Q1/6869;C12M1/34 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;习冬梅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市盐田区盐*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种测序芯片的制备方法，包括以下步骤：去除芯片待处理表面的自然氧化层得到裸芯片表面，然后对所述裸芯片表面进行清洗；在所述裸芯片表面上依次形成氧化层和HDMS层；通过光刻胶的刻蚀在所述HDMS层上形成阵列图案，然后刻蚀去除暴露的所述HDMS层，沉积氨基层于去除所述HDMS层之后而暴露的表层上，待去除所述光刻胶后得到测序芯片。本发明的方法通过重新生成氧化层代替自然氧化层，有效增强荧光信号强度。同时结合反射层及金属栅格的设置，使得芯片测试时荧光信号强度显著变强，同时隔离了相邻像素间的信号串扰，应用该芯片的测序仪的测试正确率高，适于快速、高效地进行测序。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 方法 测序仪 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳华大智造极创科技有限公司，未经深圳华大智造极创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811163359.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
