[发明专利]测序芯片的制备方法及测序芯片、测序仪

权利要求书

1.一种测序芯片的制备方法，所述测序芯片用于加载核酸分子进行测序，其特征在于：包括以下步骤：

去除芯片待处理表面的自然氧化层得到裸芯片表面，然后对所述裸芯片表面进行清洗；

在所述裸芯片表面上依次形成氧化层和HDMS层；

通过光刻胶的刻蚀在所述HDMS层上形成阵列图案，然后刻蚀去除暴露的所述HDMS层，沉积氨基层于去除所述HDMS层之后而暴露的表层上，待去除所述光刻胶后得到测序芯片；

所述测序芯片的制备方法还包括：

所述HDMS层与所述氧化层之间设有金属栅格层，所述金属栅格层通过RIE刻蚀在先沉积的金属覆盖层而实现；所述金属栅格层的高度不高于所述核酸分子的高度的两倍，每一所述金属栅格包围于一所述核酸分子在所述测序芯片上的垂直投影的外侧。

2.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于：所述氧化层与所述裸芯片表面之间设有若干金属层，所述金属层对从所述氨基层和氧化层透射来的荧光进行反射，使其被充分利用。

3.根据权利要求2所述的测序芯片的制备方法，其特征在于：所述金属层的上表面或下表面设有若干第一介质层，所述第一介质层包括氮化物或金属氧化物。

4.根据权利要求2所述的测序芯片的制备方法，其特征在于：所述金属层为与所述氨基层一一对应的金属点。

5.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于：所述金属栅格层与所述HDMS层之间或所述金属栅格层与所述氧化层之间填充有若干第二介质层，所述HDMS层沉积之前，采用CMP将所述第二介质层平整，所述第二介质层为氧化物。

6.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于：所述自然氧化层的去除通过氢氟酸或等离子气体的刻蚀实现，所述氧化层采用高密度等离子体或热氧对所述裸芯片表面进行氧化形成。

7.一种测序芯片，用于检测核酸分子的碱基序列，其特征在于：应用如权利要求1至6中任一项所述的测序芯片的制备方法制得。

8.一种测序仪，其特征在于：包括激光器、荧光检测器和应用如权利要求1至6中任一项所述的测序芯片的制备方法制得的测序芯片，所述测序芯片的氨基层固定核酸分子，通过对核酸分子上的碱基逐一进行配对和荧光分子修饰，所述激光器发出激光来照射携带核酸分子的所述测序芯片以激发荧光信号，从而由所述荧光检测器收集荧光信号，得到整个核酸分子的碱基序列信息。