[发明专利]比较装置和包括该比较装置的CMOS图像传感器有效
申请号: | 201811156853.9 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN110121040B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 金贤俊;郑会三 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 比较装置和包括该比较装置的CMOS图像传感器。一种比较装置,该比较装置包括:比较电路,所述比较电路包括分别接收像素信号和斜坡信号的输入端口,并且所述比较电路被构造为将所述像素信号和所述斜坡信号进行比较以输出比较信号;感测电路,所述感测电路联接到所述比较电路并且被构造为感测来自所述比较电路的公共电压变化量,其中,所述公共电压变化量取决于所述像素信号,使得所述公共电压变化量随着所述像素信号的增加而增加;以及尾电流控制电路,所述尾电流控制电路联接到所述感测电路并且被构造为基于所述公共电压变化量来控制所述比较电路的尾电流量。 | ||
搜索关键词: | 比较 装置 包括 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种比较装置,该比较装置包括:比较电路,所述比较电路包括分别接收像素信号和斜坡信号的输入端口,并且所述比较电路被构造为将所述像素信号和所述斜坡信号进行比较以输出比较信号;感测电路,所述感测电路联接到所述比较电路并且被构造为感测来自所述比较电路的公共电压变化量,其中,所述公共电压变化量取决于所述像素信号,使得所述公共电压变化量随着所述像素信号的增加而增加;以及尾电流控制电路,所述尾电流控制电路联接到所述感测电路并且被构造为基于所述公共电压变化量来控制所述比较电路的尾电流量。
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