[发明专利]比较装置和包括该比较装置的CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种比较装置，该比较装置包括：

比较电路，所述比较电路包括分别接收像素信号和斜坡信号的输入端口，并且所述比较电路被构造为将所述像素信号和所述斜坡信号进行比较以输出比较信号；

感测电路，所述感测电路联接到所述比较电路并且被构造为感测来自所述比较电路的公共电压变化量，其中，所述公共电压变化量取决于所述像素信号，使得所述公共电压变化量随着所述像素信号的增加而增加；以及

尾电流控制电路，所述尾电流控制电路联接到所述感测电路并且被构造为基于所述公共电压变化量来控制所述比较电路的尾电流量，

其中，所述公共电压变化量是第一公共电压与第二公共电压之间的差值，所述第一公共电压是所述斜坡信号与所述像素信号之间的差值的一半，并且所述第二公共电压是当所述斜坡信号的值与所述像素信号的值相同时的所述斜坡信号的值或所述像素信号的值。

2.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述感测电路包括：

第一电容器，所述第一电容器联接在所述比较电路与所述尾电流控制电路之间；以及

第二电容器，所述第二电容器联接在所述比较电路与所述尾电流控制电路之间。

3.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述感测电路包括：

第一电容器，所述第一电容器联接在所述比较电路的第二输入晶体管的栅极端子与所述比较电路的尾晶体管的栅极端子之间；以及

第二电容器，所述第二电容器联接在所述比较电路的第一输入晶体管的栅极端子与所述比较电路的所述尾晶体管的栅极端子之间。

4.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述尾电流控制电路包括：

开关，所述开关连接到所述感测电路并且被构造为执行对所述比较电路的偏置电压的采样；以及

电容器，所述电容器连接到所述开关并且被构造为存储所采样的偏置电压。

5.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述尾电流控制电路包括：

开关，所述开关具有第一端子和第二端子，所述第一端子联接到用于确定所述比较电路的尾晶体管的栅极电压的偏置电路，所述第二端子联接到所述感测电路和所述尾晶体管的栅极端子；以及

电容器，所述电容器具有第一端子和第二端子，所述第一端子与所述开关的第二端子、所述感测电路以及所述尾晶体管的栅极端子联接，所述第二端子与所述尾晶体管的源极端子联接。

6.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述尾电流控制电路通过基于所述公共电压变化量调节所述比较电路的跨导来控制所述比较电路的尾电流量。

7.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述感测电路包括设置在所述尾电流控制电路与所述比较电路的第一输入晶体管和第二输入晶体管的源极端子之间的电容器。

8.根据权利要求3所述的比较装置，其中，所述感测电路包括设置在所述尾晶体管的栅极端子与所述比较电路的所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的源极端子之间的电容器。

9.根据权利要求1所述的比较装置，其中，所述第二公共电压是当模数转换完成时的所述像素信号的电压电平或所述斜坡信号的电压电平。