[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811153521.5 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109411545A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 戴超;赵文达;任洋洋;王志军 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出薄膜晶体管结构和制造方法。该薄膜晶体管适配于基板上，包括：栅极；栅极绝缘层，覆盖所述栅极；半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方；位于不同层的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均与所述半导体层接触；隔离层，位于第一电极和第二电极之间且覆盖部分半导体层，所述隔离层在所述半导体层上设有第一接触孔，所述第二电极通过所述第一接触孔与所述半导体层接触。本发明能够实现超高解析度的像素设计和更强的薄膜晶体管驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 第二电极 薄膜晶体管 第一电极 栅极绝缘层 隔离层 接触孔 薄膜晶体管结构 驱动能力 像素设计 解析度 覆盖 基板 适配 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；栅极绝缘层，覆盖所述栅极；半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方；位于不同层的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均与所述半导体层接触；隔离层，位于第一电极和第二电极之间且覆盖部分半导体层，所述隔离层在所述半导体层上设有第一接触孔，所述第二电极通过所述第一接触孔与所述半导体层接触。
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