[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极；

半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方；

位于不同层的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均与所述半导体层接触；

隔离层，位于第一电极和第二电极之间且覆盖部分半导体层，所述隔离层在所述半导体层上设有第一接触孔，所述第二电极通过所述第一接触孔与所述半导体层接触。

2.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极；

位于不同层的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均位于栅极绝缘层的上方；

半导体层，位于第一电极和第二电极之间且均与第一电极和第二电极接触，所述半导体层部分位于所述栅极绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述第一电极和第二电极之间的隔离层，所述隔离层在所述半导体层的上方且在所述半导体层和栅极绝缘层接触的位置处设有第一接触孔，所述第二电极或第一电极通过所述第一接触孔与所述半导体层的部分接触。

4.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

位于不同层的第一电极和第二电极；

半导体层，位于第一电极和第二电极之间且均与第一电极和第二电极接触；

栅极绝缘层，覆盖所述第一电极、第二电极和半导体层；

栅极，位于所述栅极绝缘层上方。

5.根据权利要求4所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述第一电极和第二电极之间的隔离层，所述隔离层在所述半导体层的上方且在所述半导体层和基板接触的位置处设有第一接触孔，所述第二电极或第一电极通过所述第一接触孔与所述半导体层的部分接触。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

位于不同层的第一电极和第二电极；

隔离层，位于第一电极和第二电极之间，所述隔离层设有第一接触孔；

半导体层，位于所述隔离层的上方，所述半导体层的一部分与第二电极接触，所述半导体层的另一部分位于所述第一接触孔内与第一电极接触；

栅极绝缘层，覆盖所述隔离层和半导体层；

栅极，位于所述栅极绝缘层上方。

7.根据权利要求6所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的一部分与第二电极接触时位于第二电极的上方或下方。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1：形成栅极；

S2：形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

S3：形成位于栅极绝缘层上的半导体层；

S4：形成覆盖部分栅极绝缘层和覆盖部分半导体层的第一电极；

S5：形成覆盖栅极绝缘层、第一电极以及半导体层的隔离层，所述隔离层在所述半导体层的另一部分的位置处设第一接触孔；

S6：形成位于第一接触孔内的第二电极。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1：形成栅极；

S2：形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

S3：形成位于栅极绝缘层上的第一电极；

S4：形成覆盖部分第一电极和覆盖部分栅极绝缘层的半导体层；

S5：形成覆盖半导体层的另一部分的第二电极。

10.根据权利要求9所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括步骤：

形成覆盖栅极绝缘层、第一电极以及半导体层的隔离层，所述隔离层在所述半导体层的另一部分的位置处设第一接触孔；所述第二电极通过所述第一接触孔与所述半导体层的另一部分接触。