[发明专利]一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置有效
申请号: | 201811149757.1 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109461672B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 张如根 | 申请(专利权)人: | 蚌埠市龙子湖区金力传感器厂 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 安徽力澜律师事务所 34127 | 代理人: | 王际复;吕晓璐 |
地址: | 233000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明是涉及传感器的技术领域,具体是涉及一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板,且转动柱下端封底;每相邻两个圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔,且滑孔与转动柱内壁连通;每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽;滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板,且卡板用于固定单晶硅片;卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接,本发明具有使用方便、提高刻蚀效率、提高刻蚀效果、降低工人劳动强度等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 均匀 传感器 单晶硅 装置 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴;所述反应室外侧设置有电磁线圈;其特征在于:所述的片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板,且转动柱下端封底;每相邻两个所述圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔,且滑孔与转动柱内壁连通;每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽,且滑槽沿着圆环板的径向设置;所述滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板,且卡板用于固定单晶硅片;所述卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造