[发明专利]一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置

说明书

本发明是涉及传感器的技术领域，具体是涉及一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板，且转动柱下端封底；每相邻两个圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔，且滑孔与转动柱内壁连通；每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽；滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板，且卡板用于固定单晶硅片；卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接，本发明具有使用方便、提高刻蚀效率、提高刻蚀效果、降低工人劳动强度等优点。

技术领域

本发明是涉及传感器的技术领域，具体是涉及一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置。

背景技术

传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而现在的刻蚀过程中，都是将单晶硅片叠放在片架上，叠放的单晶硅片在刻蚀的过程中，会造成单晶硅刻蚀时只能对其单面进行有效刻蚀，另一面刻蚀效果较差，也就降低了刻蚀的效果。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，用于解决现有的传感器单晶硅刻蚀时只能对其单面进行有效刻蚀，另一面刻蚀效果较差、刻蚀效率低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明公开了一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴；所述反应室外侧设置有电磁线圈；

所述的片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板，且转动柱下端封底；每相邻两个所述圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔，且滑孔与转动柱内壁连通；每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽，且滑槽沿着圆环板的径向设置；所述滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板，且卡板用于固定单晶硅片；所述卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接。

优选的：所述卡板由一个水平杆和一个U型杆组成，且U型杆上下两端内壁分别开设有卡槽。

优选的：所述卡槽内壁设置有弹性橡胶垫。

优选的：所述卡板上的水平杆远离卡板上的U型板的一端的宽度大于滑孔的直径。

优选的：所述转动柱内壁的上下两端分别固定连接有限位环，两个所述限位环内壁滑动连接有拉杆，所述拉杆外壁转动连接有多组转动杆，且每组转动杆的数量与相邻两个圆环板之间的转动柱外壁的滑孔数量相同，所述转动杆与卡板上的水平杆转动连接。

如上所述，本发明的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，具有以下有益效果：通过在圆环板上设置滑槽，并在滑槽内设置用于固定传感器单晶硅片的卡板，通过将单晶硅片竖立固定，这就能有效的将单晶硅片的两面暴露，使得刻蚀更加充分；通过限位环、拉杆、转动杆，能够使得卡板在滑槽内滑动，这就能能够方便工人放置或取下单晶硅片，提高了效率。

附图说明

图1是本发明一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置的主视图。

图2是本发明片架的主视图。

图3是本发明卡板的结构示意图。

图4是本发明实施例四片架部分部件的俯视图。

图5是本发明实施例四中转动柱的剖视图 。

图6是本发明实施例四拉动拉杆的剖视图。