[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811149678.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109346568B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;蒋媛媛;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓。本发明最终提高LED的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓。
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