[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811149678.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109346568B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;蒋媛媛;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度小于或等于5nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层的厚度小于或等于2nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的数量为2个～20个。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第四子层中电子浓度为1017cm-3～1019cm-3。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层；
其中，所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第三子层的材料采用氮化硅，所述第四子层的材料采用未掺杂的氮化镓。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度小于或等于所述N型半导体层的生长温度。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述第二子层、所述第三子层和所述第四子层的生长温度均大于或等于所述第一子层的生长温度，所述第一子层的生长温度小于或等于所述第二子层的生长温度，所述第一子层的生长温度小于或等于所述第三子层的生长温度，所述第一子层的生长温度小于或等于所述第四子层的生长温度。
9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在每个所述第一子层生长之后，停止向生长所述第一子层的反应腔内通入镓源和铟源，持续向生长所述第一子层的反应腔内通入氨气，所述第一子层停止生长。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层停止生长的时长小于或等于15s。
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