[发明专利]单晶硅表面制绒方法在审
| 申请号： | 201811139672.5 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109301032A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 包大新;陈健生;黄仕华;王佳 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司;浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅表面制绒方法，采用常规的碱‑异丙醇为刻蚀溶液，对单晶硅进行表面制绒，采用密闭式刻蚀槽，该密闭式刻蚀槽与真空泵相连，在制绒过程中，其压强为大气压与低压交替变化。本发明提出的单晶硅制绒新方法，相比于常规的制绒方法，可以减少制绒时间和异丙醇的蒸发，在光伏行业具有较大的推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 制绒 单晶硅 单晶硅表面 常规的 刻蚀槽 密闭式 异丙醇 压强 表面制绒 光伏行业 交替变化 刻蚀溶液 真空泵 蒸发 | ||
【主权项】：
1.单晶硅表面制绒方法，采用常规的碱‑异丙醇为刻蚀溶液，对单晶硅进行表面制绒，其特征在于：采用密闭式刻蚀槽，该密闭式刻蚀槽与真空泵相连，在制绒过程中，其压强为大气压与低压交替变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
