[发明专利]单晶硅表面制绒方法

权利要求书

1.单晶硅表面制绒方法，采用常规的碱-异丙醇为刻蚀溶液，对单晶硅进行表面制绒，其特征在于：采用密闭式刻蚀槽，该密闭式刻蚀槽与真空泵相连，在制绒过程中，其压强为大气压与低压交替变化。

2.如权利要求1所述的单晶硅表面制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)硅片损伤层去除：在封闭式低压真空制绒装置中，利用H₂O₂和KOH或NaOH去除硅片表面杂质及机械损伤层，此时，真空泵关闭，也就是在大气压强下进行处理；具体工艺为：用H₂O₂与浓度为15～25％的KOH或NaOH溶液，按照体积比为1:10～20配置成混合液，加热至80℃，然后把双面未抛光的单晶硅片放入其中，腐蚀300s，再用去离子水冲洗3次；

2)硅片制绒：损伤层去除以后，把硅片放入装有制绒液的刻蚀槽，制绒温度为80℃，制绒时间为10～30min，制绒液为：1.0～2.0wt％NaOH、0.5～1.0wt％Na₂SiO₃和3～6wt％异丙醇；在制绒过程中，打开真空泵，真空腔的压强在0.5与1.0个大气压之间交替变化，变化周期为2～5s；

3)制绒完成后残留在硅片表面的碱溶液和金属离子去除：利用浓度为10～20％的盐酸在室温下浸泡120～180s，然后用去离子水冲洗3次；之后，为了去除硅片表面的氧化层，利用浓度为1％的氢氟酸在室温下浸泡60～90s，然后用去离子冲洗3次；最后，硅片在氮气保护下甩干，去除硅片表面水珠。