[发明专利]Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811136994.4 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109207938B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 何永勇;李杨;张敏怡 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06;B82Y40/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出的一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法,属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法,在低合金钢或模具钢基体上,由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成;该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8‑3.6μm;Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at%‑34at%、20at%‑24at%、5at%‑10at%、3at%‑5at%;该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36‑48N,摩擦系数为0.02~0.03,纳米硬度为32‑36Gpa。本方法通过改变基体负偏压,各中间层的沉积时间以及靶的转换,得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。
搜索关键词: ti tin tialsin tialcrsin 纳米 多层 梯度 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜,其特征在于,该纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法,在低合金钢或模具钢基体上,由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成;该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8‑3.6μm,其中,所述Ti打底层厚度为0.02‑0.08μm、所述TiN过渡层为0.58‑1.12μm、所述TiAlSiN过渡层为0.6‑1.2μm、所述TiAlCrSiN膜层的总厚度为0.6‑1.2μm,TiAlCrSiN膜层由多组灰色TiAlCrSiN膜层和白色AlTiCrSiN模层交替排列而成,灰色TiAlCrSiN膜层的单层厚度为0.010‑0.015μm,白色AlTiCrSiN膜层的单层厚度为0.015‑0.020μm;该纳米多层梯度膜中,Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at%‑34at%、20at%‑24at%、5at%‑10at%、3at%‑5at%;该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36‑48N,摩擦系数为0.02‑0.03,纳米硬度为32‑36Gpa。
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