[发明专利]Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法有效
| 申请号: | 201811136994.4 | 申请日: | 2018-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN109207938B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 何永勇;李杨;张敏怡 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
| 地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | ti tin tialsin tialcrsin 纳米 多层 梯度 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜,其特征在于,该纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法,在低合金钢或模具钢基体上,由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成;
该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8-3.6μm,其中,所述Ti打底层厚度为0.02-0.08μm、所述TiN过渡层为0.58-1.12μm、所述TiAlSiN过渡层为0.6-1.2μm、所述TiAlCrSiN膜层的总厚度为0.6-1.2μm,TiAlCrSiN膜层由多组灰色TiAlCrSiN膜层和白色AlTiCrSiN膜层交替排列而成,灰色TiAlCrSiN膜层的单层厚度为0.010-0.015μm,白色AlTiCrSiN膜层的单层厚度为0.015-0.020μm;
该纳米多层梯度膜中,Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at%-34at%、20at%-24at%、5at%-10at%、3at%-5at%;该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36-48N,摩擦系数为0.02-0.03,纳米硬度为32-36GP a。
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