[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811136724.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109285928B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 柯志杰;李希;陈冬芳;张伟强;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。因此，发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。
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