[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。因此，发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）芯片具有亮度高、寿命长、体积小和耗电量低等优点，因此，已经成为新一代的照明工具。现有的LED芯片主要包括正装结构、倒装结构和垂直结构，倒装结构由于具有尺寸小、电流大、寿命长等优点，已经受到了人们的广泛关注。虽然现有的倒装LED芯片的衬底底面和侧面都能出光，但是，大部分光线都是从衬底底面出射的，侧面出光较少，导致倒装LED芯片的出光角度较小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，以提高倒装LED芯片的出光角度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种倒装LED芯片，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；

所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。

可选地，所述半透半反层包括金属层和分布式布拉格反射层中的一种或多种。

可选地，所述半透半反层包括金属层，所述金属层靠近所述衬底的一侧表面为散射面；

所述散射面包括凹凸不平的表面。

可选地，所述半透半反层具有多个贯穿所述半透半反层的通孔，所述多个通孔间隔分布。

可选地，所述衬底背离所述发光结构层的一侧表面具有多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；

所述半透半反层位于所述凹槽内；

或者，所述半透半反层包括第一半透半反层和第二半透半反层，所述第一半透半反层位于所述凹槽内，所述第二半透半反层位于所述凹槽之间的区域，且所述第二半透半反层的反射率大于所述第一半透半反层的反射率。

一种倒装LED芯片的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层，以使所述半透半反层透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。

可选地，所述半透半反层包括金属层，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层包括：

在所述衬底相对的另一侧形成金属层，并在所述金属层靠近所述衬底的一侧表面形成散射面，所述散射面包括凹凸不平的表面。

可选地，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层之后，还包括：

在所述半透半反层上形成多个贯穿所述半透半反层的通孔，所述多个通孔间隔分布。

可选地，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层包括：

在所述衬底背离所述发光结构层的一侧表面形成多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；