[发明专利]双光掩膜和曝光方法在审
| 申请号： | 201811134790.7 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110967920A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双光掩膜，双光掩膜包括第一光掩膜和第二光掩膜，在第一光掩膜和第二光掩膜上均形成有不透光区、多个对准图形及图形尺寸区域。采用上述双光掩膜得到的曝光有效图形尺寸大于26x33mm，并且可以解决双光掩膜曝光形成的多个曝光有效图形上下或左右组合时的对准问题，在前后层叠对时可以解决前后层光掩膜曝光之间的对准问题，从而使得产品得到良好的左右密合以及前后层对准。本发明还提供一种采用上述双光掩膜进行曝光的方法，具有上述技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 双光掩膜 曝光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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