[发明专利]双光掩膜和曝光方法

说明书

本发明提供一种双光掩膜，双光掩膜包括第一光掩膜和第二光掩膜，在第一光掩膜和第二光掩膜上均形成有不透光区、多个对准图形及图形尺寸区域。采用上述双光掩膜得到的曝光有效图形尺寸大于26x33mm，并且可以解决双光掩膜曝光形成的多个曝光有效图形上下或左右组合时的对准问题，在前后层叠对时可以解决前后层光掩膜曝光之间的对准问题，从而使得产品得到良好的左右密合以及前后层对准。本发明还提供一种采用上述双光掩膜进行曝光的方法，具有上述技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种双光掩膜，还涉及一种采用上述双光掩膜进行曝光的方法。

背景技术

在半导体器件、液晶显示装置等的制造工序的光刻工序中使用曝光装置，该曝光装置由照明光学系统对掩模(掩模原版)进行照明，经由投影光学系统对涂敷有感光性的抗蚀剂层的基板投影掩模的图案的像。

现行机台尺寸受限于机台设计，掩膜版曝光区域既定尺寸最大为104x132mm，所以标准型设计的光掩膜曝光区域尺寸通常小于此尺寸。图1所示为现有技术中采用单纯的单一光掩膜的曝光方法，经过单一光掩膜的光束在晶圆110上形成了曝光有效图形120，然而，根据4倍缩，曝光有效图形120的尺寸小于26x33mm。现有技术中还有另一种采用单纯的双光掩膜的曝光方法，如图2所示，经过单纯的双光掩膜的光束在晶圆210上形成曝光有效图形，上述曝光有效图形包括由第一光掩膜A形成的第一曝光有效图形220和由第二光掩膜B形成的第二曝光有效图形230。第一光掩膜A和第二光掩膜B所形成的第一曝光有效图形220和第二曝光有效图形230的图形尺寸均小于26x33mm。

随着半导体工艺的要求越来越高，需要得到大于26x33mm的曝光有效图形。而现有技术中采用的上述单一光掩膜和单纯的双光掩膜均无法解决这一技术问题。因此，如何得到大于26x33mm的曝光有效图形是半导体技术中急需解决的问题。

另外一个问题是，如图1或图2所示的曝光方法中，在曝光中，当由于邻接的两个曝光区域的相对位置偏离在图案的接头部分产生对准误差时，有时损害所制造的器件的特性。因此，在曝光时需要减小由于用于图案投影的光掩膜的制造误差、投影光学系统的像差、对感光性基板进行定位的载置台的定位精度及移动精度等引起的曝光区域间的偏离从而确保接合精度。此外，在器件制造中，将通过曝光形成的单层的图案叠合为多个层，所以各层的曝光区域间的叠合误差在图案的接头部分变化得不连续，造成器件的品质下降。

发明内容

本发明提供一种双光掩膜和曝光方法，以克服或缓解背景技术中存在的一个或者更多个问题，至少提供一种有益的选择。

作为本发明的一个方面，提供一种双光掩膜，所述双光掩膜包括第一光掩膜和第二光掩膜；

所述第一光掩膜包括：

第一不透光区；

第一部分图形形状；及

多个对准图形；

所述第二光掩膜包括：

第二不透光区；

第二部分图形形状；及

多个对准图形；

其中，所述第一部分图形形状和所述第二部分图形形状对扣形成一个完整的图形形状；

所述第一不透光区位于所述第一光掩膜上与所述第二光掩膜相近的一侧；

所述第二不透光区位于所述第二光掩膜上与所述第一光掩膜相近的一侧。