[发明专利]低温多晶硅层、薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本揭示提供了低温多晶硅层、薄膜晶体管及其制作方法。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。沟道区域的边缘及至少部分低掺杂区域的厚度小于多晶硅层的其他位置的厚度。本揭示能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。

主权项

1.一种低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，包括:提供基板；在所述基板上形成至少一缓冲层；在所述至少一缓冲层上形成多晶硅层；图案化所述多晶硅层以形成沟道区域，所述沟道区域的两侧包括对称设置的两个低掺杂区域，所述低掺杂区域的外侧包括对称设置的两个高掺杂区域；在所述多晶硅层的所述沟道区域、所述低掺杂区域及所述高掺杂区域上沉积岛状光阻层；去除覆盖所述沟道区域的边缘及所述低掺杂区域的所述岛状光阻层，以暴露出所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域；刻蚀所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域，使得所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度，以形成岛状多晶硅层；以及剥离所述岛状光阻层。