[发明专利]低温多晶硅层、薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，包括:

提供基板；

在所述基板上形成至少一缓冲层；

在所述至少一缓冲层上形成多晶硅层；

图案化所述多晶硅层以形成沟道区域，所述沟道区域的两侧包括对称设置的两个低掺杂区域，所述低掺杂区域的外侧包括对称设置的两个高掺杂区域；

在所述多晶硅层的所述沟道区域、所述低掺杂区域及所述高掺杂区域上沉积岛状光阻层；

去除覆盖所述沟道区域的边缘及所述低掺杂区域的所述岛状光阻层，以暴露出所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域；

刻蚀所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域，使得所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度，以形成岛状多晶硅层；以及

剥离所述岛状光阻层。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，还包括在所述至少一缓冲层上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行准分子镭射，使所述非晶硅层成为所述多晶硅层，通过蚀刻去除未被所述岛状光阻层覆盖的所述多晶硅层。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述低掺杂区域是N低掺杂区域，所述高掺杂区域是N高掺杂区域。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述岛状光阻层具有第一厚度及第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度，具有所述第一厚度的所述岛状光阻层覆盖所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域。

5.如权利要求4所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，通过半色调掩膜对所述岛状光阻层进行曝光及显影以形成所述岛状光阻层，所述半色调掩膜具有不透光区域及透光区域，所述半色调掩膜的所述透光区域对应于所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域，以及所述半色调掩膜的所述不透光区域对应于所述多晶硅层的所述其他位置。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，通入氧气对覆盖所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域的所述岛状光阻层进行光阻灰化处理以去除覆盖所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域的所述岛状光阻层。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的所述沟道区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度小于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。

8.如权利要求1所述的低温多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的所述高掺杂区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述高掺杂区域的边缘接触所述低掺杂区域且所述高掺杂区域的所述边缘的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度，以及所述高掺杂区域的其他位置的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括:提供低温多晶硅层及在所述低温多晶硅层上形成栅绝缘层、栅电极、层间介电绝缘层、两个过孔、源电极和漏电极，所述过孔贯穿所述栅绝缘层和所述层间介电绝缘层，所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述低温多晶硅层的两端接触，所述低温多晶硅层是通过如权利要求1-8中任一项所述的低温多晶硅层的制作方法制得。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的距离。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅电极与所述多晶硅层的至少部分所述低掺杂区域的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述其他位置的距离。