[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明实施例提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板的上部；漂移区，位于基板的上部且邻接本体区；栅极，位于本体区与漂移区之上；源极区，位于本体区中；漏极区，位于漂移区中；第一隔离区，位于源极区与漏极区之间的漂移区中；顶掺杂区，位于第一隔离区之下；电容，位于阱之上；及第二隔离区，位于源极区与电容之间的阱中；其中在俯视图中，栅极为回圈形，漏极区设置于回圈形的内侧，源极区设置于回圈形的外侧；其中回圈形具有缺口，且第一隔离区与第二隔离区于缺口处连接，且电容环绕栅极。

主权项

1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一基板，具有一第一导电类型；一本体区，位于该基板的上部，该本体区具有一第一导电类型；一飘移区，位于该基板的上部且邻接该本体区，该飘移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；一栅极，位于该本体区与该飘移区之上；一源极区，位于该本体区中，该源极区具有该第二导电类型；一漏极区，位于该飘移区中，该漏极区具有该第二导电类型；一第一隔离区，位于该源极区与该漏极区之间的该飘移区中；一顶掺杂区，位于该第一隔离区之下，该顶掺杂区具有该第一导电类型；一电容，位于一阱之上；及一第二隔离区，位于该源极区与该电容之间的该阱中；其中在俯视图中，该栅极为一回圈形，该漏极区设置于该回圈形的内侧，该源极区设置于该回圈形的外侧；其中该回圈形具有一缺口，且该第一隔离区与该第二隔离区于该缺口处连接，且该电容环绕该栅极。