[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一导电类型；

一本体区，位于该基板的上部，该本体区具有一第一导电类型；

一漂移区，位于该基板的上部且邻接该本体区，该漂移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；

一栅极，位于该本体区与该漂移区之上；

一源极区，位于该本体区中，该源极区具有该第二导电类型；

一漏极区，位于该漂移区中，该漏极区具有该第二导电类型；

一第一隔离区，位于该源极区与该漏极区之间的该漂移区中；

一顶掺杂区，位于该第一隔离区之下，该顶掺杂区具有该第一导电类型；

一电容，位于一阱之上；及

一第二隔离区，位于该源极区与该电容之间的该阱中；

其中在俯视图中，该栅极为一回圈形，该漏极区设置于该回圈形的内侧，该源极区设置于该回圈形的外侧；其中该回圈形具有一缺口，且该第一隔离区与该第二隔离区于该缺口处连接，且该电容环绕该栅极。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该栅极、该源极区、该电容共轴。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：

一埋藏层，位于该漂移区或该阱之下，该埋藏层具有该第二导电类型，其中该埋藏层的掺杂浓度大于该漂移区的掺杂浓度。

4.如权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该顶掺杂区的掺杂深度由该电容至该漏极区的一方向呈线性递减。

5.如权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该阱的掺杂浓度大于或等于该漂移区的掺杂浓度。

6.如权利要求1-5中任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：

一基极区，位于该本体区中且邻近该源极区，该基极区具有该第一导电类型；及

一对掺杂区，位于该电容两侧的该阱中，该对掺杂区具有该第一导电类型。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该电容于俯视图中为圆形、椭圆形、或赛道形。

8.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一导电类型；

一本体区，位于一基板的上部，该本体区具有一第一导电类型；

一漂移区，位于该基板的上部，且邻接该本体区，该漂移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；

一栅极，位于该本体区与该漂移区之上；

一源极区，位于该本体区中，该源极区具有该第二导电类型；

一漏极区，位于该漂移区中，该漏极区具有该第二导电类型；

一第一隔离区，位于邻近该漏极区的该漂移区中；

一第二隔离区，位于邻近该栅极的该漂移区中；

多个顶掺杂区，位于该第一隔离区及该第二隔离区之下，该多个顶掺杂区具有该第一导电类型；

一电容，位于该第一隔离区及该第二隔离区之间的该漂移区之上；以及

其中于俯视图中，该漏极区及该源极区呈指状交叉，且该电容邻近该源极区的一尖部。

9.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：

一源极金属，电连接该源极区；

其中该源极金属覆盖该电容。

10.如权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，在俯视图中，该源极金属最靠近漏极区的一端的边缘与该漏极区最靠近该源极金属的一端的边缘保持等距。

11.如权利要求8-10中任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：

一基极区，位于该本体区中且邻近该源极区，该基极区具有该第一导电类型。