[发明专利]半导体结构、存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、存储器结构及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一半导体基底，于半导体基底的表面形成垫层结构；于半导体基底及垫层结构内形成浅沟槽隔离结构，于半导体基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；2)于垫层结构的表面形成硬掩膜层、底部抗反射层及光刻胶层，光刻胶层中形成有第一开口图形；3)依据光刻胶层刻蚀底部抗反射层，以于底部抗反射层内形成第二开口图形；4)于第二开口图形侧壁形成侧墙结构；5)于侧墙结构之外的第二开口图形内形成填充层。本发明在基于所述半导体结构制备埋入式栅极字线及位线接触时，不需要光刻工艺来定义位线接触孔，可以避免光刻曝光偏移，确保位线接触的精确对准。