[发明专利]一种电容器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811132395.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957304A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器结构及其制造方法，该方法包括：于底部衬底上形成蚀刻停止层、下部牺牲层、中部支撑层、顶部牺牲层、第一支撑层及应力缓解层，其中底部衬底具有接触孔；基于第一图形掩膜对应力缓解层进行刻蚀以形成应力缓解部；于第一支撑层及应力缓解部上形成第二支撑层，其中第一、第二支撑层将应力缓解部包覆在内以形成顶部支撑层；基于第二图形掩膜对顶部支撑层进行刻蚀以形成初级电容孔；至少于初级电容孔的内壁表面形成下电极层；基于第三图形掩膜至少对顶部支撑层进行刻蚀以形成蚀刻开口；基于蚀刻开口去除顶部牺牲层、部分中间支撑层及下部牺牲层以形成终极电容孔。通过本发明解决了现有电容器结构中电容支撑层稳定性不高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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