[发明专利]一种电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

S1：提供底部衬底，并于所述底部衬底的上表面由下至上依次形成蚀刻停止层、下部牺牲层、中部支撑层、顶部牺牲层、第一支撑层及应力缓解层；其中所述底部衬底具有贯通其上表面和下表面的接触孔；

S2：于所述应力缓解层的上表面形成第一图形掩膜，并基于所述第一图形掩膜对所述应力缓解层进行刻蚀，以形成暴露出所述第一支撑层的应力缓解部；

S3：于所述第一支撑层的上表面及所述应力缓解部的表面形成第二支撑层，其中所述第一支撑层和所述第二支撑层将所述应力缓解部包覆在内，以形成顶部支撑层；

S4：于所述顶部支撑层的上表面形成第二图形掩膜，并基于所述第二图形掩膜对所述顶部支撑层进行刻蚀，以形成暴露出所述接触孔的初级电容孔；

S5：至少于所述初级电容孔的内壁表面形成下电极层；

S6：于S5所得结构的上表面形成第三图形掩膜，并基于所述第三图形掩膜至少对所述顶部支撑层进行刻蚀，以形成暴露出所述顶部牺牲层的蚀刻开口；以及

S7：基于所述蚀刻开口，依次去除所述顶部牺牲层、部分所述中间支撑层及所述下部牺牲层，以形成终极电容孔。

2.根据权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括S8：至少于所述终极电容孔的表面由外至内依次形成电介质层及上电极层。

3.根据权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，S1中形成所述刻蚀停止层的具体方法包括：先于所述底部衬底的上表面形成第一蚀刻停止层；之后对所述第一蚀刻停止层进行减薄处理，并于减薄后的所述第一蚀刻停止层的上表面形成第二蚀刻停止层，以实现于所述底部衬底的上表面形成蚀刻停止层。

4.根据权利要求3所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，所述蚀刻停止层的厚度介于10nm～80nm之间；其中所述第一蚀刻停止层的厚度介于10nm～80nm之间，减薄厚度介于5nm～30nm之间，所述第二蚀刻停止层的厚度介于5nm～30nm之间。

5.根据权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，所述应力缓解层的材质选自硼磷硅玻璃，其中硼离子的重量百分比介于2wt％～4wt％之间，磷离子的重量百分比介于2wt％～5wt％之间。

6.根据权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，所述顶部支撑层的厚度介于150nm～300nm之间；其中，所述第一支撑层的厚度介于50nm～150nm之间，所述应力缓解部的厚度介于20nm～100nm之间，所述第二支撑层的厚度介于50nm～150nm之间。

7.根据权利要求1所述的电容器结构的制造方法，其特征在于，S6中形成所述蚀刻开口的具体方法包括：

S61：于S5所得结构的上表面形成第三图形掩膜，其中，所述第三图形掩膜具有若干蚀刻图形，并且相邻蚀刻图形之间具有间隙，所述间隙位于待蚀刻顶部支撑层的上方，并且所述间隙的宽度与所述待蚀刻顶部支撑层的宽度相同；及

S62：基于所述第三图形掩膜，至少对所述待蚀刻顶部支撑层进行刻蚀，以形成暴露出所述顶部牺牲层的蚀刻开口。

8.一种电容器结构，其特征在于，所述电容器结构包括：

底部衬底，所述底部衬底具有贯通其上表面和下表面的接触孔；

下电极层，位于所述底部衬底上，其中，所述下电极层的截面呈U型；

蚀刻停止层，位于所述底部衬底的上表面，同时连接于所述下电极层的底部侧壁；

中部支撑层，位于所述蚀刻停止层的上方，同时连接于所述下电极层的中部侧壁；

顶部支撑层，位于所述中部支撑层的上方，同时连接于所述下电极层的顶部侧壁；

其中，所述顶部支撑层由下至上依次包括第一支撑层、应力缓解部及第二支撑层，并且所述第一支撑层和所述第二支撑层将所述应力缓解部包覆在内。