[发明专利]基板制造方法在审

专利信息
申请号: 201811126804.0 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109659225A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 池野顺一;山田洋平;铃木秀树;野口仁 申请(专利权)人: 信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B23K26/00;B23K101/42
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;孔博
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序:在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序:从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中,在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光,在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动,从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时,在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部,从而从被照射面侧产生面状剥离。
搜索关键词: 激光聚光 加工痕迹 氧化镁单晶基板 单晶基板 基板制造 被照射面 面状 剥离 热加工 表面照射激光 照射条件 二维状 非接触 单晶 照射 并列 移动 配置
【主权项】:
1.一种基板制造方法,其特征在于,具备:第1工序,在氧化镁的单晶构件的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备,第2工序,使用所述激光聚光设备,在预定的照射条件下,对所述单晶构件表面照射激光,在将激光聚光于所述单晶构件内部的同时使所述激光聚光设备与所述单晶构件二维状地相对地移动,从而并列地形成加工痕迹列,所述加工痕迹列是将由热加工得到的加工痕迹在所述单晶构件内部形成为一列而成的;在所述第2工序中,所述加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部,从而从所述被照射面侧产生面状剥离。
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