[发明专利]基板制造方法

说明书

本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。

技术领域

本发明涉及对于制造厚度薄的氧化镁单晶基板而言最佳的基板制造方法。

背景技术

在半导体领域、显示器领域、能源领域等中，使用了氧化镁单晶基板。为了制造该氧化镁单晶基板，已知除了使其晶体生长成块状并切断成基板状以外，还有使其外延生长成薄膜状(例如，参照专利文献1)。

另一方面，金刚石被认为是适于高频、高输出电子器件的半导体，在作为其合成方法之一的气相合成法中，利用氧化镁基板、硅基板作为基底基板(例如专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-080996号公报

专利文献2：日本特开2015-59069号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，伴随着半导体装置的高性能化，晶格缺陷少且薄型的氧化镁单晶基板正在越来越变得必要。

在上述金刚石基板的制造中，作为基底基板的氧化镁基板(MgO基板)昂贵，通过例如在气相合成了单晶金刚石之后，在残留作为基底基板所必须的厚度的同时剥离氧化镁基板而分离，从而能够将氧化镁基板作为基底基板进行再利用。具体而言，例如如果从厚度200μm的氧化镁的基底基板获得厚度180μm的氧化镁基板而进行再利用，则在金刚石基板制造工艺中能够实现大幅的成本降低，能够期待对于金刚石基板的成本降低做出大的贡献。

鉴于上述课题，本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。

用于解决课题的方法

可是，虽然已提出了各种获得单晶硅基板的制造方法，但本发明人进行深入研究，结果在本发明中发现了，将氧化镁基板作为对象的、基于与单晶硅不同的新的加工原理的制造方法。

根据用于解决上述课题的本发明的一个方式，提供一种基板制造方法，其具备：第1工序，在氧化镁的单晶构件的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备；以及第2工序，使用上述激光聚光设备，在预定的照射条件下，对上述单晶构件表面照射激光，在将激光聚光于上述单晶构件内部的同时，使上述激光聚光设备与上述单晶构件以二维状地相对地移动，从而并列地形成加工痕迹列，所述加工痕迹列是将由热加工得到的加工痕迹在上述单晶构件内部形成为一列而成的；在上述第2工序中，在上述加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而产生面状剥离。

发明的效果

根据本发明，可以提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。

附图说明

图1中(a)为本发明的一个实施方式中所使用的剥离基板制造装置的示意性立体图，(b)为本发明的一个实施方式中所使用的剥离基板制造装置的部分放大侧视图。

图2为说明在本发明的一个实施方式中，剥离基板从氧化镁单晶基板剥离的示意性侧面截面图。

图3为说明在本发明的一个实施方式中，正逐渐形成加工痕迹的示意图。