[发明专利]具有多个栅极结构的LDMOS FINFET结构有效
| 申请号： | 201811120061.6 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109585558B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 杰罗米·希瓦提;杰高尔·辛格;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多个栅极结构的LDMOS FINFET结构，揭示用于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置的场效应晶体管结构以及形成LDMOS装置的方法。在衬底上形成第一及第二鳍片。具有第一导电类型的第一阱部分设于该衬底中且部分设于该第一鳍片中。具有第二导电类型的第二阱部分设于该衬底中、部分设于该第一鳍片中、且部分设于该第二鳍片中。在该第一鳍片中的该第一阱内及该第二鳍片中的该第二阱内分别形成具有该第二导电类型的第一及第二源/漏区。形成与该第一鳍片的相应部分重叠的相互隔开的栅极结构。在该第一与第二栅极结构之间的该第一鳍片中的该第二阱内设置具有该第一导电类型的掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 ldmos finfet | ||
【主权项】：
1.一种利用衬底形成的场效应晶体管的结构，该结构包括：第一鳍片及第二鳍片，位于该衬底上；第一阱，部分设于该衬底中且部分设于该第一鳍片中，该第一阱具有第一导电类型；第二阱，部分设于该衬底中、部分设于该第一鳍片中，且部分设于该第二鳍片中，该第二阱具有第二导电类型；第一源/漏区，具有该第二导电类型，位于该第一鳍片中的该第一阱内；第二源/漏区，具有该第二导电类型，位于该第二鳍片中的该第二阱内；第一栅极结构，经设置以与该第一鳍片的第一部分重叠；第二栅极结构，经设置以与该第一鳍片的第二部分重叠，该第二栅极结构沿着该第一鳍片而与该第一栅极结构隔开；以及掺杂区，设于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第一鳍片中的该第二阱内，该掺杂区具有该第一导电类型。
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