[发明专利]具有多个栅极结构的LDMOS FINFET结构

权利要求书

1.一种利用衬底形成的场效应晶体管的结构，该结构包括：

第一鳍片及第二鳍片，位于该衬底上；

第一阱，部分设于该衬底中且部分设于该第一鳍片中，该第一阱具有第一导电类型；

第二阱，部分设于该衬底中、部分设于该第一鳍片中，且部分设于该第二鳍片中，该第二阱具有第二导电类型；

第一源/漏区，具有该第二导电类型，位于该第一鳍片中的该第一阱内；

第二源/漏区，具有该第二导电类型，位于该第二鳍片中的该第二阱内；

第一栅极结构，经设置以与该第一鳍片的第一部分重叠；

第二栅极结构，经设置以与该第一鳍片的第二部分重叠，该第二栅极结构沿着该第一鳍片而与该第一栅极结构隔开；

掺杂区，设于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该第一鳍片中的该第二阱内，该掺杂区具有该第一导电类型；以及

第三栅极结构，与该第一鳍片的第三部分重叠，该第三栅极结构沿着该第一鳍片而与该第一栅极结构隔开，且该第一栅极结构及该第三栅极结构设于该第一源/漏区与该掺杂区之间。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该第二阱包括第一区及第二区，该第二源/漏区设于该第二区中，该第二阱的该第一区在该第一阱与该第二阱的该第二区之间部分设于该第一鳍片中且部分设于该衬底中，以及该第二阱的该第二区位于该第二鳍片中。

3.如权利要求2所述的结构，其中，该第一阱与该第二阱的该第一区沿结会合，且该第二阱的该第一区将该第一阱与该第二阱的该第二区隔开。

4.如权利要求3所述的结构，其中，该第一栅极结构位于该第一阱与该第二阱的该第一区之间的该结上方。

5.如权利要求4所述的结构，还包括：

沟槽隔离区，位于该第一鳍片与该第二鳍片之间，

其中，该第二阱的该第一区与该第二阱的该第二区在该沟槽隔离区下方会合。

6.如权利要求2所述的结构，其中，该第二阱的该第一区由提供该第二导电类型的掺杂物的第一浓度掺杂，该第二阱的该第二区由提供该第二导电类型的该掺杂物的第二浓度掺杂，且该第二浓度大于该第一浓度。

7.如权利要求2所述的结构，其中，该掺杂区与该第二阱的该第一区耦接。

8.如权利要求7所述的结构，还包括：

沟槽隔离区，位于该第一鳍片与该第二鳍片之间，

其中，该第二栅极结构设于该掺杂区与该沟槽隔离区之间。

9.如权利要求2所述的结构，其中，该第二阱的该第一区围绕该第二阱的该第二区。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该掺杂区未被接触。

11.如权利要求1所述的结构，还包括：

沟槽隔离区，位于该第一鳍片与该第二鳍片之间，

其中，该第二栅极结构的部分与该沟槽隔离区具有重叠关系。

12.如权利要求1所述的结构，其中，该第一导电类型为n型导电性，且该第二导电类型为p型导电性。