[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811119425.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109509818B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。将AlN层设置为包括AlN底层结构与设置在AlN底层结构上的多个锥状结构，AlN层中的锥状结构的侧壁会对N型GaN层中的位错进行阻挡，减少能够移动至锥形结构之上生长的N型GaN层的位错的数量，保证在锥形结构之上生长的N型GaN层质量，进而提高在N型GaN层上生长的外延薄膜的晶体质量，最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 底层结构 锥形结构 锥状结构 外延片 位错 制备 生长 发光效率 外延薄膜 侧壁 阻挡 移动 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其特征在于，/n所述AlN层包括AlN底层结构与设置在所述AlN底层结构上的多个锥状结构，所述多个锥状结构均布在所述AlN底层结构上，所述衬底靠近所述AlN层的一个表面为第一表面，所述多个锥状结构在所述第一表面上的投影均不重合。/n
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