[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其特征在于，

所述AlN层包括AlN底层结构与设置在所述AlN底层结构上的多个锥状结构，所述多个锥状结构均布在所述AlN底层结构上，所述衬底靠近所述AlN层的一个表面为第一表面，所述多个锥状结构在所述第一表面上的投影均不重合。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，相邻的两个所述锥状结构在所述第一表面上的投影上距离最近的两点之间的距离均为1～5μm。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述锥状结构在所述第一表面上的投影上间隔最远的两点之间的距离为1～3μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述锥状结构的高度为1.5～4μm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlN底层结构的厚度为0.1～0.5μm。

6.一种发光二极管的外延片及其制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长AlN层；

对所述AlN层进行光刻操作，使所述AlN层的表面形成多个锥状结构，所述多个锥状结构均布在所述AlN底层结构上，所述衬底靠近所述AlN层的一个表面为第一表面，所述多个锥状结构在所述第一表面上的投影均不重合；

在所述AlN层上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长有源层；

在所述有源层上生长P型GaN层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述对所述AlN层进行光刻操作包括：

在所述AlN层上涂覆一层光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光显影，在光刻胶上形成图案，所述图案为多个均布的圆柱形图案；

对所述AlN层上没有覆盖光刻胶的部分进行刻蚀；

去除所述AlN层上的光刻胶。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述对所述AlN层上没有覆盖光刻胶的部分进行刻蚀包括：

采用电感耦合等离子刻蚀技术对所述AlN层上没有覆盖光刻胶的部分进行刻蚀。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用SF₆、Ar、O₂对所述AlN层进行刻蚀，通入反应腔内的SF₆的流量为50～150sccm、通入反应腔内的Ar的流量为1～20sccm、通入反应腔内的O₂的流量为1～20sccm。

10.根据权利要求6～9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上生长AlN层之前，所述方法还包括：

使用清洗剂将所述衬底洗净之后使用去离子水将所述衬底清洗甩干，其中，所述清洗剂为H₂SO₄：H₂O₂等于5:1的混合液。