[发明专利]三维可编程存储器的制备方法

摘要

三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基层结构体开槽；3)在条形槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在条形槽的空腔中填充核心介质，形成核心介质层；5)在条形槽的端部区域设置自顶层到底层贯穿的隔离槽，从形状上由隔离槽将各条形槽首尾连接为一条曲线，隔离槽侵入条形槽以使条形槽长边方向两侧的导电介质形成绝缘隔离；并在条形槽上开设自顶层到底层贯穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在条形槽长边邻近的基础结构体，切割槽孔将条形槽分割为至少3个独立的存储体；6)在隔离槽和切割槽孔中填充绝缘介质。本发明得到的半导体存储器存储密度高。

主权项

1.三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)形成基础结构体：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；2)对基层结构体开槽：在基础结构体上至少开设3条自顶层到底层贯穿的并列的条形槽，各隔离槽相互独立，相邻两个条形槽的邻边为条形槽的长边；3)在条形槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在条形槽的空腔中填充核心介质，形成核心介质层；5)在条形槽的端部区域设置自顶层到底层贯穿的隔离槽，从形状上由隔离槽将各条形槽首尾连接为一条曲线，隔离槽侵入条形槽以使条形槽长边方向两侧的导电介质形成绝缘隔离；并在条形槽上开设自顶层到底层贯穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在条形槽长边邻近的基础结构体，切割槽孔将条形槽分割为至少3个独立的存储体；6)在隔离槽和切割槽孔中填充绝缘介质。