[发明专利]三维可编程存储器的制备方法

权利要求书

1.三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)形成基础结构体：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；

2)对基层结构体开槽：在基础结构体上至少开设3条自顶层到底层贯穿的并列的条形槽，各隔离槽相互独立，相邻两个条形槽的邻边为条形槽的长边；

3)在条形槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；

4)在条形槽的空腔中填充核心介质，形成核心介质层；

5)在条形槽的端部区域设置自顶层到底层贯穿的隔离槽，从形状上由隔离槽将各条形槽首尾连接为一条曲线，隔离槽侵入条形槽以使条形槽长边方向两侧的导电介质形成绝缘隔离；并在条形槽上开设自顶层到底层贯穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在条形槽长边邻近的基础结构体，切割槽孔将条形槽分割为至少3个独立的存储体；

6)在隔离槽和切割槽孔中填充绝缘介质。

2.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，预设存储器结构为下述结构之一：

PN结型半导体存储器结构、肖特基半导体存储器结构、阻变存储器结构、磁变存储器结构、相变存储器结构、铁电存储器结构。

3.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为PN结型半导体存储器结构，其包括P型导电区、N型导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；

导电介质层为P型半导体，核心介质为N型半导体；

或者，导电介质层为N型半导体，核心介质层为P型半导体；

所述步骤3)包括：

3.1在条形槽内设置绝缘层。

4.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为肖特基型二极管存储器结构，其包括半导体导电区、金属导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；

导电介质层为形成肖特基二极管结构所需的半导体，核心介质为形成肖特基二极管结构所需的金属；

或者，导电介质层为形成肖特基二极管结构所需的金属，核心介质层为形成肖特基二极管结构所需的半导体；

所述步骤3)包括：

3.1在条形槽内设置绝缘层。

5.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为记忆介质存储器结构，所述记忆介质存储器为阻变存储器结构、磁变存储器结构、相变存储器结构或铁电存储器结构；

所述导电介质层和核心介质层的材质皆为金属或多晶硅；

所述步骤3)包括：

3.1在条形槽内设置记忆介质层。

6.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为PN结型半导体存储器结构，其包括P型导电区、N型导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；

导电介质层为P+型半导体，核心介质为N+型半导体或导体；

所述步骤3)包括：

3.1在条形槽内设置绝缘层，

3.2在绝缘层内壁设置低掺杂N型半导体层；

3.3在设置有绝缘层和低掺杂N型半导体层的条形槽的空腔内填充核心介质。

7.如权利要求1所述的三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为PN结型半导体存储器结构，其包括P型导电区、N型导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；

所述导电介质层为N+型半导体或导体，核心介质为P+型半导体；

所述步骤3)包括：

3.1在条形槽内设置低掺杂N型半导体层；

3.2在低掺杂N型半导体层内壁设置绝缘层；

3.3在设置有低掺杂N型半导体层和绝缘层的条形槽的空腔内填充核心介质。