[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201811113924.7 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN109584917B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 饭岛正章 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:数据接收电路,所述数据接收电路被耦合到用于从存储器接收数据信号的数据输入端子,以及数据选通接收电路,所述数据选通接收电路被耦合到第一和第二输入端子,所述第一和第二输入端子用于分别接收来自所述存储器的数据选通信号和反相数据选通信号,所述数据选通接收电路包括:终端电路,所述终端电路基于终端使能信号来将所述第一和第二输入端子耦合到端子电位;第一比较器电路,所述第一比较器电路输出所述数据选通信号和所述反相数据选通信号之间的差;第二比较器电路,所述第二比较器电路比较所述数据选通信号和所述反相数据选通信号之一的电平;门电路,所述门电路通过掩蔽信号来掩蔽所述第一比较器电路的输出信号;以及控制电路,所述控制电路基于所述第二比较器电路的输出信号来识别所述数据选通信号和所述反相数据选通信号的前导的开始时刻,并且设置用于指令所述第一比较器电路的输出信号的掩蔽状态直到所述前导的开始之时的所述掩蔽信号,其中,所述控制电路设置用于指令在所述前导的开始之后的所述第一比较器的输出信号的去掩蔽状态的所述掩蔽信号,以及其中,所述数据接收电路基于在所述掩蔽信号指示所述去掩蔽状态时的所述门电路的输出信号,来输出所述数据信号作为从所述存储器的读取数据。
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