[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811112069.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560137B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡;M·E·吉普森 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁。在所述沟槽中形成第一场板，其中所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。在所述沟槽中形成介电材料，其中所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成的沟槽；在所述沟槽中形成的栅电极，所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁；在所述沟槽中形成的第一场板，所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间；以及在所述沟槽中形成的介电材料，所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
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