[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811112069.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560137B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡;M·E·吉普森 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
在半导体衬底中形成的沟槽；
在所述沟槽中形成的栅电极，所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁；
在所述沟槽中形成的第一场板，所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间；以及
在所述沟槽中形成的介电材料，所述介电材料具有介于所述第一侧壁与所述第一场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一场板包括竖直部分和横向部分，所述横向部分在所述竖直部分的底部形成。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二厚度是所述第一厚度的至少两倍。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，进一步包括在所述半导体衬底中形成的源极区和在所述半导体衬底中形成的漏极区，所述源极区的至少一部分邻近所述第一侧壁，所述漏极区的至少一部分邻近所述第二侧壁。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，进一步包括在所述半导体衬底中形成的体区，所述体区的至少一部分邻近所述第一侧壁，所述源极区在所述体区中形成。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，进一步包括在所述沟槽中形成的第二场板，所述第二场板位于所述第一场板与所述第二侧壁之间，并且其中所述第二厚度包括所述第一场板与所述第二场板之间的第一部分厚度和所述第二场板与所述第二侧壁之间的第二部分厚度。
7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第二场板由导电材料形成，并且其中所述第二场板电浮置。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅电极被配置成接收第一电压信号。
9.一种方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底中蚀刻沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁；
沉积导电材料以在所述沟槽中形成第一竖直场板；
在所述沟槽中形成控制栅极，所述控制栅极设置在所述第一侧壁与所述第一竖直场板之间；以及
在所述沟槽中形成介电区，所述介电区具有介于所述第一侧壁与所述第一竖直场板的第一边缘之间的第一厚度，以及介于所述第二侧壁与所述第一竖直场板的第二边缘之间的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
10.一种晶体管，其特征在于，包括：
在半导体衬底中形成的沟槽；
在所述沟槽中形成的栅电极，所述栅电极的第一边缘接近所述沟槽的第一侧壁；
在所述沟槽中形成的第一场板，所述第一场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间；以及
在所述沟槽中形成的第二场板，所述第二场板位于所述栅电极的第二边缘与所述沟槽的第二侧壁之间。
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