[发明专利]一种采用多埋层技术的双阱p型LDMOS在审
| 申请号： | 201811111236.7 | 申请日： | 2018-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109378340A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 梁继然;张叶;陈亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用多埋层技术的双阱p型LDMOS，包括蓝宝石衬底层，所述蓝宝石衬底层上端面为深n阱层，不同深n阱层由二氧化硅深槽隔离隔断，所述深n阱层上端面设有高压p阱层，所述高压p阱层从下到上分别内设有n型埋层和p型埋层，所述高压p阱层通过漏极p‑缓冲带、p+掺杂层和钨金属通孔与漏极金属金电极相连，所述高压p阱层左侧设有n阱层，n阱层通过n+掺杂层与p+掺杂层同时由钨金属通孔与源极金属金电极相连，所述高压p阱层上端面由下至上分别铺设二氧化硅隔离层与多晶硅栅极，所述多晶硅栅极由二氧化硅隔离层上端面延申至n阱层上端面。本发明可以在不增加器件尺寸的基础上将器件的耐压值提高到700V以上，并且比导通阻小且不会弱化其他性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 高压p阱 上端面 掺杂层 深n阱 二氧化硅隔离层 蓝宝石衬底层 多晶硅栅极 金电极 钨金属 埋层 通孔 二氧化硅 基础上将 漏极金属 深槽隔离 性能参数 源极金属 缓冲带 隔断 导通 漏极 耐压 弱化 铺设 | ||
【主权项】：
1.一种采用多埋层技术的双阱p型LDMOS，其特征在于，包括蓝宝石衬底层，所述蓝宝石衬底层上端面为深n阱层，不同深n阱层由二氧化硅深槽隔离隔断，所述深n阱层上端面设有高压p阱层，所述高压p阱层从下到上分别内设有n型埋层和p型埋层，所述高压p阱层通过漏极p‑缓冲带、p+掺杂层和钨金属通孔与漏极金属金电极相连，所述高压p阱层左侧设有n阱层，n阱层通过n+掺杂层与p+掺杂层同时由钨金属通孔与源极金属金电极相连，所述高压p阱层上端面由下至上分别铺设二氧化硅隔离层与多晶硅栅极，所述多晶硅栅极由二氧化硅隔离层上端面延申至n阱层上端面。
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