[发明专利]一种WOLED背板及其制备方法在审
| 申请号: | 201811110311.8 | 申请日: | 2018-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN109346502A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
| 发明(设计)人: | 唐甲;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请提供一种WOLED背板及其制备方法,所述WOLED背板包括:基板;底层薄膜晶体管层,制备于所述基板上;彩膜,制备于所述底层薄膜晶体管层上,所述彩膜包括间隔分布的子彩膜单元;以及平坦层,制备于所述彩膜上,且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有凹槽;阳极,对应所述子彩膜单元制备于所述平坦层上;像素定义层,对应所述凹槽的位置制备于所述平坦层上,并定义出像素区域;其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。 | ||
| 搜索关键词: | 制备 彩膜 平坦层 背板 像素定义层 底层薄膜 晶体管层 基板 间隔分布 间隔位置 吸光材料 像素区域 阳极 申请 | ||
【主权项】:
1.一种WOLED背板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一形成有底层薄膜晶体管层的基板,在所述底层薄膜晶体管层上形成图案化的彩膜,所述彩膜包括对应子像素呈间隔分布的子彩膜单元;步骤S20,在所述彩膜上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化,形成对应相邻两所述子彩膜单元之间间隔位置的凹槽;步骤S30,在所述平坦层上形成对应所述子彩膜单元的图案化的阳极;步骤S40,在所述凹槽位置形成图案化的像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域,其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





