[发明专利]一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚有效

专利信息
申请号: 201811109294.6 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN109023504B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 陈若富;石国柱;沈爱花 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/12
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 夏艳
地址: 730000 甘肃省*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明提供一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚,属于核检测、国土安全、军事领域。本发明按照晶体生长方法中的自然淘汰原理,对晶体生长所用的石英坩埚的底部形状和整体外形进行整体设计,得到外部尺寸和内部尺寸都有特殊要求的大尺寸石英坩埚。本发明与传统方式相比,生产出的大尺寸CsI(Tl)/CsI闪烁晶体,成品率/良品率较高,与其他厂商使用的在坩埚内部喷涂一层特殊材料相比,方法工艺相对简单,成本较低。
搜索关键词: 一种 生长 csi tl 晶体 石英 坩埚
【主权项】:
1.一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚,其特征在于,包括与真空泵连接的连接管,连接管一段安装在石英坩埚嘴内,并达到通过连接管即可抽出坩埚内的空气,石英坩埚嘴嵌入椭圆状的坩埚本体内,石英坩埚本体内部涂覆有一层均匀的铂粉,石英坩埚嵌入一上部开口的圆形球壳内,并使石英坩埚本体能相对圆形球壳转动,圆形球壳底部安装在一方形的承载平台上。
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