[发明专利]一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚有效

申请号：	201811109294.6	申请日：	2018-09-21
公开（公告）号：	CN109023504B	公开（公告）日：	2020-11-10
发明（设计）人：	陈若富;石国柱;沈爱花	申请（专利权）人：	中国科学院近代物理研究所
主分类号：	C30B11/00	分类号：	C30B11/00;C30B29/12
代理公司：	北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246	代理人：	夏艳
地址：	730000 甘肃省***	国省代码：	甘肃;62
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摘要：
搜索关键词：	一种生长 csi tl 晶体石英坩埚
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【权利要求书】：

1.一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，其特征在于，包括与真空泵连接的连接管，连接管一段安装在石英坩埚嘴内，并达到通过连接管即可抽出坩埚内的空气，石英坩埚嘴嵌入椭圆状的坩埚本体内，石英坩埚本体内部涂覆有一层均匀的铂粉，石英坩埚嵌入一上部开口的圆形球壳内，并使石英坩埚本体能相对圆形球壳转动，圆形球壳底部安装在一方形的承载平台上。

2.根据权利要求1所述的一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，其特征在于，所述的坩埚内壁制造方式为：

S1.吹制椭圆状的普通玻璃模具；

S2.在玻璃外胆上均匀浇涂覆一层颗粒均匀的铂粉；

S3.用石英砂粉体浇筑石英于玻璃外胆外部，在高温炉内烧制；

S4.成型、冷却；

S5.再次放入高温炉内加热，温度高于玻璃的熔融温度后，高温下将熔融玻璃倒出石英坩埚本体即可；

S6.冷却后向石英坩埚本体内再次涂覆一层铂粉。

3.根据权利要求1所述的一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，其特征在于，所述的石英坩埚嘴的制造方法是：

S1.制作沙模；

S2.插入金属软管，并浇筑石英粉体；

S3.高温烧制；

S4.成型、冷却，内侧涂覆一层铂粉。