[发明专利]散热式齐纳二极管有效
| 申请号： | 201811101923.0 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109599442B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;黄菘志;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种散热式齐纳二极管，包含属于第一导电型的一重掺杂半导体基板、属于第一导电型的一第一磊晶层、属于第二导电型的一第一重掺杂区、一第二磊晶层与属于第一导电型或第二导电型的一第二重掺杂区。第一磊晶层设于重掺杂半导体基板上，第一重掺杂区设于第一磊晶层中，并与重掺杂半导体基板相隔。第二磊晶层设于第一磊晶层上，第二磊晶层具有贯穿自身的一第一掺杂区，第一掺杂区属于第二导电型，第一掺杂区接触第一重掺杂区。第二重掺杂区设于第一掺杂区中。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 齐纳二极管 | ||
【主权项】：
1.一种散热式齐纳二极管，其特征在于，包含：一重掺杂半导体基板，属于第一导电型；一第一磊晶层，属于该第一导电型，该第一磊晶层设于该重掺杂半导体基板上；一第一重掺杂区，属于第二导电型，该第一重掺杂区设于该第一磊晶层中，并与该重掺杂半导体基板相隔；以及一第二磊晶层，设于该第一磊晶层上，该第二磊晶层具有贯穿自身的一第一掺杂区，该第一掺杂区属于该第二导电型，该第一掺杂区接触该第一重掺杂区。
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