[发明专利]散热式齐纳二极管有效
| 申请号： | 201811101923.0 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109599442B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;黄菘志;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 齐纳二极管 | ||
1.一种散热式齐纳二极管，其特征在于，包含：
一重掺杂半导体基板，属于第一导电型；
一第一磊晶层，属于该第一导电型，该第一磊晶层设于该重掺杂半导体基板上；
一第一重掺杂区，属于第二导电型，该第一重掺杂区设于该第一磊晶层中，并与该重掺杂半导体基板相隔；
一第二磊晶层，设于该第一磊晶层上，该第二磊晶层具有贯穿自身的一第一掺杂区，该第一掺杂区属于该第二导电型，该第一掺杂区接触该第一重掺杂区；以及
一第二重掺杂区，其属于该第二导电型或该第一导电型，该第二重掺杂区设于该第一掺杂区中。
2.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。
3.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。
4.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，更包含至少一第三磊晶层，其设于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间，该至少一第三磊晶层具有贯穿自身的一第二掺杂区，该第二掺杂区属于该第二导电型，该第二掺杂区接触该第一重掺杂区与该第一掺杂区。
5.如权利要求4所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该至少一第三磊晶层属于该第二导电型，该至少一第三磊晶层的一部分作为该第二掺杂区。
6.如权利要求4所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该至少一第三磊晶层属于该第一导电型，该第二掺杂区为重掺杂区。
7.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第二磊晶层属于该第二导电型，该第二磊晶层的一部分作为该第一掺杂区。
8.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第二磊晶层属于该第二导电型，该第一掺杂区为重掺杂井区。
9.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第二磊晶层属于该第一导电型，该第二磊晶层为轻掺杂磊晶层，该第一掺杂区为掺杂井区。
10.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，该第二磊晶层属于该第一导电型，该第一掺杂区为掺杂井区。
11.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，更包含一轻掺杂区，其属于该第二导电型，该轻掺杂区设于该第二磊晶层中，以接触该第一掺杂区，并环绕该第一掺杂区。
12.如权利要求1所述的散热式齐纳二极管，其特征在于，更包含一绝缘沟渠，其嵌于该第一磊晶层与该第二磊晶层中，以接触该第一重掺杂区与该第一掺杂区，该绝缘沟渠环绕该第二重掺杂区，该绝缘沟渠的深度等于或深于该第一重掺杂区的深度。
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