[发明专利]堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法在审

专利信息
申请号: 201811097297.2 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109585400A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 李海硕;金昭映;禹升汉 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/56;H01L25/07
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法。一种堆叠半导体装置,其包括:多个半导体裸片,其沿第一方向堆叠;M个数据路径,其电连接所述多个半导体裸片,一个数据路径包括一个或更多个穿硅通孔,其中,M是正整数;发送电路,其包括M个串行化单元,所述M个串行化单元被配置为将P个发送信号串行化为M个串行信号,并且将所述M个串行信号分别输出到所述M个数据路径,其中,P为大于M的正整数;以及接收电路,其包括M个并行化单元,所述M个并行化单元被配置为从所述M个数据路径接收所述M个串行信号,并且将所述M个串行信号并行化为与所述P个发送信号相对应的P个接收信号。
搜索关键词: 串行信号 数据路径 堆叠半导体装置 半导体裸片 半导体装置 串行化单元 传输信号 发送信号 并行化 正整数 穿硅通孔 发送电路 接收电路 电连接 堆叠 配置 并行 输出
【主权项】:
1.一种堆叠半导体装置,其包括:沿第一方向堆叠的多个半导体裸片;M个数据路径,所述数据路径电连接所述多个半导体裸片中的两个半导体裸片,所述M个数据路径中的一个数据路径包括一个或更多个穿硅通孔,其中,M是正整数;发送电路,其包括M个串行化单元,所述M个串行化单元被配置为将P个发送信号串行化为M个串行信号,并且将所述M个串行信号分别输出到所述M个数据路径,其中,P为大于M的正整数;以及接收电路,其包括M个并行化单元,所述M个并行化单元被配置为从所述M个数据路径接收所述M个串行信号,并且将所述M个串行信号并行化为与所述P个发送信号相对应的P个接收信号。
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