[发明专利]堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法在审
申请号: | 201811097297.2 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN109585400A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 李海硕;金昭映;禹升汉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/56;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种堆叠半导体装置、系统及在半导体装置中传输信号的方法。一种堆叠半导体装置,其包括:多个半导体裸片,其沿第一方向堆叠;M个数据路径,其电连接所述多个半导体裸片,一个数据路径包括一个或更多个穿硅通孔,其中,M是正整数;发送电路,其包括M个串行化单元,所述M个串行化单元被配置为将P个发送信号串行化为M个串行信号,并且将所述M个串行信号分别输出到所述M个数据路径,其中,P为大于M的正整数;以及接收电路,其包括M个并行化单元,所述M个并行化单元被配置为从所述M个数据路径接收所述M个串行信号,并且将所述M个串行信号并行化为与所述P个发送信号相对应的P个接收信号。 | ||
搜索关键词: | 串行信号 数据路径 堆叠半导体装置 半导体裸片 半导体装置 串行化单元 传输信号 发送信号 并行化 正整数 穿硅通孔 发送电路 接收电路 电连接 堆叠 配置 并行 输出 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠半导体装置,其包括:沿第一方向堆叠的多个半导体裸片;M个数据路径,所述数据路径电连接所述多个半导体裸片中的两个半导体裸片,所述M个数据路径中的一个数据路径包括一个或更多个穿硅通孔,其中,M是正整数;发送电路,其包括M个串行化单元,所述M个串行化单元被配置为将P个发送信号串行化为M个串行信号,并且将所述M个串行信号分别输出到所述M个数据路径,其中,P为大于M的正整数;以及接收电路,其包括M个并行化单元,所述M个并行化单元被配置为从所述M个数据路径接收所述M个串行信号,并且将所述M个串行信号并行化为与所述P个发送信号相对应的P个接收信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811097297.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高效导热芯片基板结构及制备方法
- 下一篇:半导体装置