[发明专利]用于高脉冲磁控溅射的同步控制器在审
| 申请号： | 201811095643.3 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109518144A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 维亚斯拉夫·巴巴扬;华钟强;吴梦露;阿道夫·米勒·艾伦;巴尔加夫·西特拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文呈现的实施方式涉及用于在半导体处理系统中处理基板的方法和设备。所述方法开始于将耦接在脉冲RF偏压发生器与HiPIMS发生器之间的脉冲同步控制器初始化。通过脉冲同步控制器将第一时序信号发送至脉冲RF偏压发生器和HiPIMS发生器。基于第一时序信号向溅射靶和设置在基板支撑件中的RF电极供电。基于时序信号的结束而使所述靶和电极断电。通过脉冲同步控制器发送第二时序信号至脉冲RF偏压发生器，响应于第二时序信号，在不向靶供电的情况下，电极被供电和断电。 | ||
| 搜索关键词： | 时序信号 脉冲同步控制器 偏压发生器 脉冲 发生器 电极 供电 断电 半导体处理系统 发送 方法和设备 基板支撑件 同步控制器 处理基板 磁控溅射 初始化 高脉冲 溅射靶 耦接 响应 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲同步系统，包括：靶功率源，所述靶功率源与设置在处理腔室中的溅射靶连通，其中所述功率源可操作以在第一靶电压与第二靶电压之间改变靶偏压；RF偏压源，所述RF偏压源与设置在基板支撑件中的RF电极连通，其中所述RF偏压源被配置为在第一电极电压与第二电极电压之间向所述RF电极供电；和同步控制器，所述同步控制器耦接至所述RF偏压源和所述靶功率源，其中所述同步控制器提供多个同步信号以用于使所述RF偏压源和所述靶功率源输入各自的第一电压或第二电压。
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