[发明专利]用于高脉冲磁控溅射的同步控制器在审
| 申请号： | 201811095643.3 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109518144A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 维亚斯拉夫·巴巴扬;华钟强;吴梦露;阿道夫·米勒·艾伦;巴尔加夫·西特拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 时序信号 脉冲同步控制器 偏压发生器 脉冲 发生器 电极 供电 断电 半导体处理系统 发送 方法和设备 基板支撑件 同步控制器 处理基板 磁控溅射 初始化 高脉冲 溅射靶 耦接 响应 | ||
1.一种脉冲同步系统，包括：
靶功率源，所述靶功率源与设置在处理腔室中的溅射靶连通，其中所述功率源可操作以在第一靶电压与第二靶电压之间改变靶偏压；
RF偏压源，所述RF偏压源与设置在基板支撑件中的RF电极连通，其中所述RF偏压源被配置为在第一电极电压与第二电极电压之间向所述RF电极供电；和
同步控制器，所述同步控制器耦接至所述RF偏压源和所述靶功率源，其中所述同步控制器提供多个同步信号以用于使所述RF偏压源和所述靶功率源输入各自的第一电压或第二电压。
2.如权利要求1所述的脉冲同步系统，其中所述同步控制器进一步包括：
第一持续时间的第一开启信号，所述第一开启信号被配置为激活所述RF偏压源和所述靶功率源二者；
第二持续时间的第一关闭信号，所述第一关闭信号被配置为去激活(deactivate)所述RF偏压源和所述靶功率源；和
第三持续时间的第二开启信号，所述第二开启信号被配置为仅激活所述RF偏压源。
3.如权利要求2所述的脉冲同步系统，其中所述RF偏压源在所述第一开启信号激活时，对所述RF电极供电具有延迟。
4.如权利要求3所述的脉冲同步系统，其中对所述RF电极供电的延迟为约3μs。
5.如权利要求1所述的脉冲同步系统，其中所述同步控制器进一步包括：
第一持续时间的第一开启信号，所述第一开启信号被配置为激活所述RF偏压源和所述靶功率源二者；
第二持续时间的第一关闭信号，所述第一关闭信号被配置为去激活所述RF偏压源和所述靶功率源；和
第三持续时间的第二开启信号，所述第二开启信号被配置为激活所述RF偏压源和所述靶功率源二者。
6.如权利要求1所述的脉冲同步系统，其中所述同步信号为低于约24V的低压。
7.一种基板处理系统，包括：
基板处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有侧壁和底部；
盖组件，所述盖组件位于形成内部容积的所述腔室主体上，所述盖组件具有溅射靶；和
基板支撑件，所述基板支撑件具有电极，所述基板支撑件设置在位于所述盖组件下方的所述内部容积中，所述基板支撑件被配置为在处理期间支撑基板；和
脉冲同步系统，包括：
靶功率源，所述靶功率源与设置在处理腔室中的溅射靶连通，其中所述功率源可操作以在第一靶电压与第二靶电压之间改变靶偏压；
RF偏压源，所述RF偏压源与设置在基板支撑件中的RF电极连通，其中所述RF偏压源被配置为在第一电极电压与第二电极电压之间向所述RF电极供电；和
同步控制器，所述同步控制器耦接至所述RF偏压源和所述靶功率源，其中所述同步控制器提供多个同步信号以用于使所述RF偏压源和所述靶功率源输入各自的第一电压或第二电压。
8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述同步控制器进一步包括：
第一持续时间的第一开启信号，所述第一开启信号被配置为激活所述RF偏压源和所述靶功率源二者；
第二持续时间的第一关闭信号，所述第一关闭信号被配置为去激活所述RF偏压源和所述靶功率源；和
第三持续时间的第二开启信号，所述第二开启信号被配置为仅激活所述RF偏压源。
9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中所述RF偏压源在所述第一开启信号激活时，对所述RF电极供电具有延迟。
10.如权利要求9所述的基板处理系统，其中对所述RF电极供电的延迟为约3μs。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811095643.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
