[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811093345.0 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109683006B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 南正隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其能够以小电路面积执行电压监测。电阻细分电路(RDIV)借助输入梯电阻器(R1‑R4)执行输入电压(Vin)的电阻细分，并且通过细分的输入电压(Vi1‑Vi3)驱动nMOS晶体管(MN1‑MN3)，每个细分的输入电压分别具有不同的电阻细分比率。pMOS晶体管(MP0)对于pMOS晶体管(MP1‑MP3)共同设置，并且用pMOS晶体管(MP1‑MP3)中的每一个构成电流镜电路。偏置电流生成电路(IBSG)向pMOS晶体管(MP1)提供偏置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：多个输出节点，所述多个输出节点分别输出在输入电压和多个比较电压之间的比较结果；多个第一导电类型的第一晶体管，所述多个第一导电类型的第一晶体管分别耦合在所述输出节点和第一电源之间；多个第二导电类型的第二晶体管，所述多个第二导电类型的第二晶体管分别耦合在所述输出节点和第二电源之间；电阻细分电路，所述电阻细分电路借助于输入梯电阻器来执行所述输入电压的电阻细分，并且分别通过具有不同电阻细分比率的多个细分的输入电压来驱动所述第二晶体管；第一导电类型的第三晶体管，所述第一导电类型的第三晶体管为所述第一晶体管共同设置，以与所述第一晶体管中的每一个构成电流镜电路；以及偏置电流生成电路，所述偏置电流生成电路向所述第三晶体管提供偏置电流。
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