[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个输出节点，所述多个输出节点分别输出在输入电压和用于比较的多个电压之间的比较结果；

多个第一导电类型的第一晶体管，所述多个第一导电类型的第一晶体管分别耦合在所述输出节点和第一电源之间；

多个第二导电类型的第二晶体管，所述多个第二导电类型的第二晶体管分别耦合在所述输出节点和第二电源之间；

电阻细分电路，所述电阻细分电路借助于输入梯电阻器来执行所述输入电压的电阻细分，并且分别通过具有不同电阻细分比率的多个细分的输入电压来驱动所述第二晶体管；

第一导电类型的第三晶体管，所述第一导电类型的第三晶体管为所述第一晶体管共同设置，以与所述第一晶体管中的每一个构成电流镜电路；以及

偏置电流生成电路，所述偏置电流生成电路向所述第三晶体管提供偏置电流，

其中所述输入梯电阻器被配置有多个电阻元件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述偏置电流生成电路包括：

第二导电类型的第四晶体管，所述第二导电类型的第四晶体管耦合在所述第三晶体管和所述第二电源之间，并且由预定参考电压驱动。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管中的每一个和所述第三晶体管具有相同的晶体管尺寸，以及

其中所述第二晶体管中的每一个和所述第四晶体管具有相同的晶体管尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述电阻细分电路还包括：

细分的输入电压调节电路，所述细分的输入电压调节电路通过选择耦合到所述输入梯电阻器的多个电阻细分节点的多个输入开关，来调节用于驱动所述第二晶体管中的至少一个的所述细分的输入电压的大小。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述输入开关将所述输入梯电阻器中的所述电阻细分节点中的每一个耦合到所述第二晶体管中的至少一个驱动节点。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述电阻细分电路包括：

与所述第二晶体管中的一个对应地提供的第一输入梯电阻器；

与所述第二晶体管中的另一个对应地提供的第二输入梯电阻器；

第一输入开关单元，所述第一输入开关单元将所述输入电压选择性地耦合到所述第一输入梯电阻器的所述电阻细分节点中的一个；以及

第二输入开关单元，所述第二输入开关单元将所述输入电压选择性地耦合到所述第二输入梯电阻器的所述电阻细分节点中的一个。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

参考电压生成电路，所述参考电压生成电路生成用于驱动所述第四晶体管的所述参考电压，

其中所述参考电压生成电路包括：

参考梯电阻器；

带隙参考电路，所述带隙参考电路通过以预定比率相加具有正温度特性的电压和具有负温度特性的电压来生成带隙电压，并且将所述带隙电压施加到所述参考梯电阻器；以及

参考电压调节电路，所述参考电压调节电路通过选择耦合到所述参考梯电阻器的所述电阻细分节点的多个参考开关，来调节所述参考电压的大小。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述参考开关将所述参考梯电阻器的多个电阻细分节点中的每一个耦合到所述第四晶体管的驱动节点。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述第四晶体管的所述驱动节点不可移动地耦合到所述参考梯电阻器的所述电阻细分节点中的一个，以及

其中所述参考开关将所述带隙电压选择性地耦合到所述参考梯电阻器的所述电阻细分节点中的一个。