[发明专利]一种反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201811089014.X | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109273339B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 何怀亮 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应室，属于刻蚀设备技术领域，为提高刻蚀均一性而设计。反应室包括腔体和设置于所述腔体内的上电极，反应室还包括气体扩散板及调节组件，气体扩散板设置于所述上电极的正上方，并隔断所述腔体，所述气体扩散板上开置有多个气孔，用于向所述上电极所处的腔体内通入制程气体；调节组件设置于所述气体扩散板上，用于调节每个所述气孔的通气面积。本发明提供的反应室，通过采用气体扩散板和调节组件对用于刻蚀的气体进行局部浓度调节，从而可调节刻蚀图案的局部刻蚀速率，降低刻蚀的负载效应，提高刻蚀均一性和刻蚀质量。本发明还公开了一种包括上述反应室的干法刻蚀机及应用于该干法刻蚀机的刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反应室，包括腔体和设置于所述腔体内的上电极(2)，其特征在于，所述反应室还包括：气体扩散板(11)，设置于所述上电极(2)的正上方，并隔断所述腔体，所述气体扩散板(11)上开置有多个气孔(111)，用于向所述上电极(2)所处的腔体内通入制程气体；以及调节组件(12)，设置于所述气体扩散板(11)上，用于调节每个所述气孔(111)的通气面积。
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